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分立半导体产品 / 晶体管 - FET, MOSFET - 单个 / IPB120N06S402ATMA1

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    IPB120N06S402ATMA1DATASHEET
    商品分类 分立半导体产品 - 晶体管 - FET, MOSFET - 单个
    品牌 Rochester Electronics
    Series OptiMOS™
    Package Bulk
    FET Type N-Channel
    Vgs (Max) ±20V
    Technology MOSFET (Metal Oxide)
    FET Feature -
    Part Status Obsolete
    Mounting Type Surface Mount
    Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 140µA
    Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 100A, 10V
    Power Dissipation (Max) 188W (Tc)
    Supplier Device Package PG-TO263-3-2
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195nC @ 10V
    Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15.75pF @ 25V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)

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